Зарядите свой телефон на 5 часов за 5 минут с лета 2017 года

Qualcomm объявил о выпуске Snapdragon 835, преемника Snapdragon 821, который работает на частоте 2, 35 ГГц. Наряду с этим, компания также объявила о своей новой технологии Quick Charge 4, которая позволит пользователям заряжать свои устройства в течение 5 часов использования в течение 5 минут.

Компания сосредоточена на улучшении срока службы аккумулятора и технологии зарядки, так как большинство покупателей в эти дни ищут лучшие варианты аккумулятора и возможности быстрой зарядки при покупке телефона.

Зарядите свой телефон в течение 5 часов за 5 минут

Американская многонациональная корпорация также представила свою технологию Quick Charge 4 вместе с новым процессором, который, как утверждает компания, обеспечит вашему устройству 5 часов автономной работы за 5 минут зарядки.

Новая технология зарядки будет работать на 20% быстрее, а эффективность на 30% выше, чем у Quick Charge 3. Это не означает, что ваше устройство также будет быстро нагреваться, так как новая технология будет работать при более низких температурах 5 ° C.

Quick Charge 4 также поможет вашему устройству зарядить 50% батареи за 15 минут или меньше.

Это явно более низкий процент по сравнению с технологией зарядки OnePlus 'Dash, которая существует на рынке уже несколько месяцев.

Ниже приведены некоторые функции, которые Quick Charge 4 получает по сравнению с предшественниками.

• USB Type-C и USB Power Delivery. В стремлении обеспечить быструю зарядку для масс, Qualcomm стандартизировал адаптеры Quick Charge 4, чтобы он мог поддерживать несколько устройств.
• Battery Saver: реализован для продления срока службы батареи и защиты батареи, системы, кабеля и разъема путем измерения тока и температуры напряжения.
• Интеллектуальное согласование оптимального напряжения (INOV): это алгоритм, который помогает системе определить оптимальную передачу мощности при максимальной эффективности. Это помогает защитить телефон от перегрева из-за скачков напряжения во время зарядки.
• Двойная зарядка: эта технология обеспечивает быструю зарядку за счет эффективного отвода тепла.

Snapdragon станет еще быстрее благодаря чипсету 835

Компания объединилась с Samsung для разработки своего следующего флагманского SoC. Snapdragon 835 будет построен на 10-нм узле Samsung FinFET, который потребляет на 40% меньше энергии, что дает процессору общее повышение производительности на 27% по сравнению с его предшественниками.

10-нм узел FinFET также обеспечит 30% -ную эффективность площади из-за его меньшего размера по сравнению с ранее использованным 14-нм узлом.

Меньший размер не влияет на производительность, скорее, он освобождает больше места для производителей чипсетов, чтобы добавить дополнительные функции или просто сделать устройство тоньше.

Snapdragon 835 и Quick Charge 4 компании Qualcomm должны появиться к концу второго квартала 2017 года.