Intel, Micron Venture начинает создавать флеш-чипы емкостью 34 нм

Собственная компания По данным компаний в понедельник, Intel и производитель памяти Micron Technology начали массовое производство чипов флэш-памяти NAND с использованием крошечной 34-нанометровой технологии.

Флэш-память NAND используется для хранения песен, фильмов и т. д. в iPod, iPhone и ряде другие продукты бытовой электроники.

Совместное предприятие Intel-Micron, IM Flash Technologies, ожидает, что к концу этого года на своем заводе в Лехе, штат Юта, будет произведено 50 процентов чипов на основе технологии 34 нм.

Нанометр измерение описывает размер самых маленьких транзисторов и других деталей, которые могут быть изготовлены на одном чипе. В нанометровом диапазоне имеется от трех до шести атомов, в зависимости от типа атома, и в миллиметрах в миллиметрах.

Производители чипов, такие как Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) и Intel, в настоящее время массово производят чипы, используя технологию как от 40 до 45нм. Как правило, чем больше транзисторов на чипе и чем ближе они находятся вместе, тем быстрее чип может выполнять задачи.

Помимо производительности, компании работают над тем, чтобы сделать чипы меньше и дешевле, потому что людям нужны все меньшие, более дешевые устройства.

IM Flash производит 32-гигабайтные NAND-чипы размером с эскиз со своей 34-нм технологией и ожидает, что чипы будут использоваться в небольших твердотельных накопителях (SSD) или флэш-картах памяти, предназначенных для продуктов, включая цифровые камеры, цифровые видеокамеры и персональные музыкальные проигрыватели.

Байт-байты на 32 гигабайта - это многоуровневые ячейки (MLC), что означает, что они могут обрабатывать больше перезаписей, чем одноядерная (SLC) разновидность NAND-флэш-памяти.

Samsung Electronics, мировой крупнейший производитель чипов флэш-памяти NAND, в настоящее время модернизирует свои чип-фабрики, чтобы использовать технологии 42 нм, и планирует начать производство в следующем году.

Компания продемонстрировала многоуровневую ячейку с 64-гигабайтной флэш-памятью NAND, изготовленной с использованием технологии производства 30 нм l год.