Toshiba развивает более высокую пропускную способность FeRAM

Toshiba разработала более мощную версию своего FeRAM (сегнетоэлектрический RAM), которая может отправлять и получать данные в восемь раз быстрее своего ранее подробного прототипа.

FeRAM - относительно новый тип памяти, который сочетает в себе скорость чипов DRAM, которые наиболее часто используются в качестве основной памяти на компьютерах, а также возможность сохранять данные во время отключения питания, как микросхемы флэш-памяти, используемые в сотовых телефонах, камерах и других гаджетах.

Новый чип, который будет подробно рассмотрен на Международной конференции Solid Solid State Circuits (ISSCC) на этой неделе в Сан-Франциско, имеет пропускную способность 16 МБ и читать / скорость записи 1,6 ГБ в секунду. В 2006 году Toshiba подробно рассказала о своем прогрессе в FeRAM, когда у него был чип 4MB, который управлял передачей данных на 200MBps.

Чип, который будет подробно описан в ISSCC на этой неделе, является последним в серии прототипов компании, которая работает над возможным коммерциализации технологии. Компания не имеет конкретных планов начать массовое производство чипов и говорит, что цена остается одним из самых больших препятствий.

Целевые приложения включают встроенную кэш-память в полупроводниках. Несмотря на то, что он поддерживает быстрое чтение и запись и может сохранять его содержимое даже при отключенной общей емкости чипа на 16 МБ, намного ниже обычной микросхемы флэш-памяти.