Toshiba выпустит чипы с более высокой пропускной способностью с июля

Toshiba планирует начать начиная с середины чипов флэш-памяти в этом году, которые будут более плотно упакованы, чем текущие модели, и сделают возможными даже более мелкие гаджеты.

Новые чипы будут построены на производственных линиях, которые могут создавать чипы с транзисторными воротами размером до 32 нанометров в размере. Нанометр - это миллиардная часть метра, а измерение размера затвора - это показатель, по которому измеряется технология производства микросхем. Поскольку размеры ворот становятся меньше, транзисторы могут быть установлены на чипе, а его мощность или мощность увеличены.

В случае флэш-чипов Toshiba, которые, по словам компании, являются первыми в мире на этом уровне, новые версии будут уметь записывать 32 Гбит (4 ГБ) данных на один чип. Флэш-карты памяти и USB-накопители обычно содержат несколько таких микросхем.

Образцы новых чипов доступны с понедельника, а Toshiba планирует начать коммерческое производство в июле, что на два месяца раньше запланированного срока. В то же время он начнет предлагать образцы чипов с емкостью 16 ГБ (2 ГБ), построенные на одной и той же производственной линии на заводе Yokkaichi в Ми, Япония.

В настоящее время чип-индустрия продвигается к производству 32 нм. Intel, крупнейший производитель микросхем в мире, будет использовать ее в конце этого года на новых процессорах, которые, как ожидается, будут более мощными, чем текущие модели, частично благодаря продвижению в технологиях.